Toshiba создала высокоплотный чип энергонезависимой ферроэлектрической памяти с пропускной способностью 1,6 ГБ/с

Toshiba разработала высокоемкую микросхему энергонезависимой ферроэлектрической памяти (FeRAM).

FeRAM –это относительно новый тип памяти, который объединяет в себе скорость чипов DRAM, применяемых в качестве оперативной памяти в компьютерах, и способность сохранять данные при отсутствии энергопотребления — что характерно для чипов flash-памяти, используемых в сотовых телефонах, фотоаппаратах и прочих устройствах. Разработки ферроэлектрической памяти ведутся уже давно, однако, до ее коммерциализации пока еще далеко.

Новая микросхема FeRAM будет продемонстрирована на Международной конференции по полупроводниковым схемам, которая пройдет на этой неделе в Сан-Франциско. Она характеризуется емкостью в 16 МБ и скоростью чтения/записи на уровне 1,6 ГБ/с. Данной разработкой Toshiba превзошла свое предыдущее достижение в этой области: последний чип FeRAM, созданный в 2006 году, имел вместительность в 4 МБ и пропускную способность в 200 МБ/с.

Плотность нового чипа FeRAM составляет 128 Мб, прежний рекорд Toshiba по плотности был 32 Мб.

Чип FeRAM

В Toshiba намерены продолжать разработки FeRAM, в частности, в направлении увеличения емкости чипов. О запуске серийного производства ферроэлектрической памяти пока говорить рано, но компания считает, что FeRAM могла бы использоваться в качестве встроенной памяти для мобильных телефонов и других портативных устройств, а также в качестве кэш-памяти в мобильных ПК и SSD.